龙8龙国际long8龙8游戏龙8 - long8 (国际)唯一官方网站◈◈✿。long8官方网站登录◈◈✿,欧盟委员会一直在就下一阶段的欧盟芯片法案进行磋商◈◈✿,以支持整个地区的半导体生态系统◈◈✿。从德国的ZVEI到瑞典半导体和半欧洲的各个行业团体都为欧盟芯片法案2.0的磋商做出了贡献◈◈✿,强调了第一法案中的关键差距和高度官僚化的过程◈◈✿,这减缓了实施速度◈◈✿。例如◈◈✿,最初的《芯片法》设立了处理器和半导体技术联盟◈◈✿,该联盟花了两年多的时间才举行了第一次会议◈◈✿,成员包括技能◈◈✿、供应链◈◈✿、PFAS和汽车工作组◈◈✿。联盟于3月首次举行会议long8.唯一(中国)官方网站◈◈✿,第二次会议于2025年11月举行◈◈✿,专门讨论该法的修订◈◈✿。尽管如此◈◈✿,根据第一部法案的规定◈◈✿,到 2030 年预计将进行
半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料◈◈✿。它能够实现电流的受控流动◈◈✿,使其成为现代电子设备如计算机◈◈✿、智能手机及其他数字系统中的关键组成部分◈◈✿。半导体构成了集成电路和微芯片的基础◈◈✿,这些集成电路和微芯片被广泛应用于各种技术应用◈◈✿。半导体行业在支持人工智能◈◈✿、电动汽车◈◈✿、无线通信和数据存储等领域的进步方面发挥着关键作用◈◈✿。近年来◈◈✿,增长主要由生成式人工智能和数据中心基础设施中芯片的需求推动◈◈✿。例如◈◈✿,半导体销售在2024年增长了约19%◈◈✿,其中与人工智能相关的芯片占当年芯片总销量的20%以上◈◈✿。总体来看◈◈✿,2023年销量近一万亿颗
在对计算霸权的不懈追求中◈◈✿,半导体行业正经历一个由人工智能无尽需求驱动的变革时期◈◈✿。制造工艺和材料的突破不仅仅是渐进式改进◈◈✿,更是基础性的转变◈◈✿,使芯片能够实现指数级更快◈◈✿、更高效◈◈✿、更强大的芯片long8.唯一(中国)官方网站◈◈✿。从GAA晶体管的复杂架构◈◈✿,到高数值孔径(High-NA)极紫外光刻的微观精度◈◈✿,再到先进封装的巧妙集成◈◈✿,这些创新正在重塑数字智能的本质◈◈✿。这些进展在2025年12月迅速展开◈◈✿,对于维持人工智能的指数级增长至关重要◈◈✿,尤其是在大型语言模型(LLM)和复杂神经网络领域◈◈✿。它们承诺释放前所未有的能力◈◈✿,使人工智能能够解决此前被认为难以解决的
中国2026–2030年路线图如何重新定义全球芯片技术◈◈✿、供应链和竞争格局◈◈✿。中国即将完成其第十四个五年计划◈◈✿,即2021年至2025年◈◈✿。其半导体产业取得了显著进展◈◈✿,这得益于战略投资和产业政策的支持◈◈✿。“3+2”区域模式形成◈◈✿:北京◈◈✿、上海和深圳成为逻辑芯片生态系统的中坚◈◈✿,领先半导体厂商如中芯◈◈✿、华虹和华为◈◈✿,武汉以YMTC◈◈✿,合肥以CXMT为核心◈◈✿,成为存储器生产的关键枢纽◈◈✿。Yole集团专家表示◈◈✿,2025年将是当前计划的最后一年◈◈✿,大多数目标已达成或进展顺利◈◈✿。这一五年战略使中国及其半导体生态系统在半导体器件领域迅速获得市场份
结合Z2Data的分析报告◈◈✿,探讨争议中安世半导体涉及的供应链暴露出的薄弱环节◈◈✿,以及对依赖其元器件的制造商可能造成的影响◈◈✿。
图片来源◈◈✿:Lam Research随着互补金属氧化物半导体(CMOS)面积从一个节点缩小到另一个节点50%◈◈✿,互连临界尺寸(CD)和间距(或间距)需求非常紧张◈◈✿。在N3节点◈◈✿,金属间距尺寸必须在18纳米或以下◈◈✿,主要的互连挑战之一是确保足够的工艺裕度以应对CD和边缘布置误差(EPE)◈◈✿。实现未来技术节点的CD光栅需要多图案化方法◈◈✿,如自对齐双/四/八重图案(SADP/SAQP/SAOP)和多重光刻蚀(LE)图案◈◈✿,结合193i光刻甚至极紫外光刻河中麻系◈◈✿。SEMulator3D虚拟制造技术◈◈✿,作为Semiverse Solutio
随着半导体和微电子器件的发展long8.唯一(中国)官方网站◈◈✿,要求原子级制造精度◈◈✿,材料的纯度限制变得极端long8.唯一(中国)官方网站◈◈✿。在半导体开发的2纳米节点◈◈✿,线个原子河中麻系◈◈✿!其中较为有趣的材料之一是铁电材料铝氮化钪(AlScN)◈◈✿,这是一种维尔兹结构的固溶体材料◈◈✿,结合了铝鎬优越的压电性能与通过钕掺杂引入的铁电行为◈◈✿。AlScN已在非易失性存储器◈◈✿、能量采集◈◈✿、微机电系统(MEMS)◈◈✿、射频滤波器和光学器件方面展现出突破性潜力◈◈✿。所有应用都需要具有原子级精度的共形超纯薄膜◈◈✿。近期◈◈✿,由 Kurt J. Lesker Company◈◈✿、宾夕法尼亚州立大学◈◈✿、麻省理工学院(MIT)
为实现下一代 PPAC(功率◈◈✿、性能◈◈✿、面积◈◈✿、成本)目标◈◈✿,半导体制造商不断缩小器件尺寸◈◈✿,采用更复杂的器件结构和更特殊的材料◈◈✿。同时◈◈✿,制造流程需在更极端的温度下进行◈◈✿,进出工艺腔室的物料流量也持续增加◈◈✿。原子层沉积(ALD)和原子层刻蚀(ALE)等工艺会产生大量热量◈◈✿,这些热量需快速排出◈◈✿,以确保晶圆上发生正常的化学反应◈◈✿。随着器件结构尺寸缩小◈◈✿、复杂度提升◈◈✿,且工艺工程师追求更快的刻蚀速率◈◈✿,工艺过程中产生的热量不断增多◈◈✿。由于需要排出的热量增加◈◈✿,设备原始设备制造商(OEM)对冷水机的制冷温度要求越来越低河中麻系long8.唯一(中国)官方网站◈◈✿。例如◈◈✿,Lam 去年推出
专家们在桌上◈◈✿:半导体工程召集了一群专家◈◈✿,讨论一些AI工作负载如何更适合设备端处理◈◈✿,以实现稳定性能◈◈✿、避免网络连接问题◈◈✿、降低云计算成本并确保隐私◈◈✿。小组成员包括Frank Ferro◈◈✿,他是该组织的团体主管◈◈✿。硅Cadence的解决方案组;爱德华多·蒙塔涅斯◈◈✿,副英飞凌PSOC边缘微控制器与边缘AI解决方案◈◈✿、物联网◈◈✿、无线及计算业务总裁兼负责人;Keysight高级总监Alexander Petr;Raj Uppala◈◈✿,市场营销与合作伙伴高级总监硅Rambus的知识产权;西门子EDA中央人工智能产品经理Niranjan
根据WSTS河中麻系◈◈✿,2025年第三季度全球半导体市场规模为2080亿美元◈◈✿。SI表示◈◈✿,这是市场首次突破2000亿美元◈◈✿。2025年第三季度同比增长15.8%◈◈✿,为自2009年第二季度19.9%以来的最高季度同比增长河中麻系◈◈✿。
在中国推动半导体自给自足的背景下◈◈✿,华为正准备在11月底推出一系列重大更新◈◈✿。据《上海证券新闻》报道◈◈✿,南华早报预计该科技巨头将于周五(11月21日)发布一项新的人工智能基础设施技术◈◈✿,有望将GPU使用率提升至约70%◈◈✿,较当前水平有显著提升◈◈✿。与此同时long8.唯一(中国)官方网站◈◈✿,华为中央报道称◈◈✿,公司将于11月25日发布Mate 80智能手机系列◈◈✿,同时推出新旗舰Kirin 9030芯片组◈◈✿,包括Pro版本◈◈✿。华为的人工智能技术旨在与英伟达抗衡据《南华早报》报道◈◈✿,该技术将实现华为自有芯片◈◈✿、NVIDIA GPU和第三方加速器的计算资源统一管理河中麻系◈◈✿。值得注
最近◈◈✿,复旦大学与邵新实验室联合研究团队◈◈✿,由彭周鹏和鲍文中带领河中麻系◈◈✿,在二维半导体集成电路领域取得了又一项全球领先的突破——开发出全球首个使用晶圆级二维半导体材料制造的现场可编程门阵列(FPGA)◈◈✿。研究结果发表在《国家科学评论》上◈◈✿。据乐诚发布◈◈✿,该芯片利用二维半导体材料实现低功耗运行◈◈✿、可重构性和高可靠性◈◈✿,为下一代智能计算和航天电子提供了新的硬件解决方案◈◈✿。FPGA集成了约4000个晶体管◈◈✿,标志着二维半导体从简单逻辑电路向复杂可重构功能系统的历史性飞跃◈◈✿。与团队早期的“Infinity”芯片——全球首款基于二维半导体材料
中国首个汽车芯片测试平台在深圳正式启用long8.唯一(中国)官方网站◈◈✿,标志着该国在汽车领域半导体自主可控进程中迈出关键一步◈◈✿。该平台旨在加速芯片验证流程◈◈✿、统一行业标准◈◈✿,并强化安全关键型汽车电子产品的质量监管◈◈✿。这一举措体现了中国正在整合汽车半导体生态系统的趋势◈◈✿,而这一趋势正影响着全球芯片验证流程与采购模式◈◈✿。汽车半导体国家级基础设施新平台由中国国新控股有限责任公司与中国汽车技术研究中心有限公司(CATARC)联合运营◈◈✿,是中国首个专门面向汽车芯片综合验证的国家级机构◈◈✿。这座位于深圳的综合体设有 13 个实验室河中麻系◈◈✿,配备 80 余套测试设备◈◈✿,覆盖环境
半导体厂商正纷纷发力◈◈✿,支持英伟达为下一代 AI 工厂计算平台推出的 800V 直流供电架构(图 1a)◈◈✿。该架构专为高效支撑下一代 AI 服务器机柜的兆瓦级功耗而设计◈◈✿,以单步转换直接输出 800V 直流电压给每个机柜◈◈✿,取代了当前需将 13.8V 交流电转换为 54V 直流供电轨的多级中间转换流程(图 1b)◈◈✿。即便抛开英伟达在 AI 领域的 “龙头地位” 及其对芯片供电方式的主导权◈◈✿,800V 架构在能效◈◈✿、空间利用率和系统成本方面的优势也极具吸引力◈◈✿,推动该技术快速获得行业 momentum◈◈✿。包括 Analog
semiconductor 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质◈◈✿。半导体室温时电阻率约在10-5~107欧·米之间◈◈✿,温度升高时电阻率指数则减小◈◈✿。半导体材料很多◈◈✿,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类◈◈✿。锗和硅是最常用的元素半导体◈◈✿;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓◈◈✿、磷化镓等)◈◈✿、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉◈◈✿、硫化锌等)◈◈✿、氧化物(锰◈◈✿、铬◈◈✿、铁◈◈✿、铜的氧化物), [查看详细]
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